特殊炭素・高純度黒鉛製品

高温に強く、ヒートショックに耐えるクリアーカーボン!

金属材料や他のセラミックス材料に見られない特性を活かしたクアーズテック株式会社の各種炭素・黒鉛製品は、半導体をはじめ様々な産業で利用されています。特に高純度黒鉛材料は、特殊な処理により灰分を3ppm以下に抑えており、シリコン単結晶引き上げ用ヒーター・ルツボ、液相エピタキシャル用ボートなど、半導体製造工程で幅広く使用されています。さらに、厳選された黒鉛基材の表面にSiCコーティングを施したクリアーカーボンはエピタキシャル用サセプターや各種治具で使用されており、その優れた特性は国内外で高く評価されています。

クリアーカーボン(SiCコートグラファイト)サセプター:Epi用

特長

1.結晶粒が発達した多結晶SiC

結晶粒が発達した多結晶SiC

クリアーカーボン
クリアーカーボン

一般的なCVD-SiC
一般的なCVD-SiC

2.強固な層間密着性

結晶粒が発達した多結晶SiC
クリアーカーボンは、炭素基材に深く入り込んだSiCのアンカーにより、SiC膜と炭素基材が極めて良好な密着性を有します。

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3.高い耐食性

名称 ガス 処理温度(℃)
1300 1350 1400 1450 1500 1550
クリアーカーボン H2
H2+HCI
一般CVD-SiC膜 H2
H2+HCI × × ×
[判定内容]
◎:問題なし ○:表面やや欠損 △:やや昇華 ×:昇華大
[処理条件]
H2:H2=20 SLM、100Torr、60min.
H2+HC1:H2=20 SLM、HC1=0.5SLM、100Torr、60min.

4.優れたWafer均熱特性

高い耐食性
高い耐食性

5.幅広い表面仕上げへの適応性

Normal surface (non surface finish)
Normal surface (non surface finish)

Surface finish 1
Surface finish 1

Surface finish 2
Surface finish 2

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主な用途

クリアーカーボンは高温下における半導体製造に幅広く使用されております。
(エピタキシャル成長、MO-CVDなど)

 
 

一般特性(代表例)

SiC膜
結晶構造 β-SiC
かさ比重 3.2
3点曲げ強さ 500Mpa
熱伝導率 200W/mK
放射率(650℃) 76%
熱膨張率(25〜1200℃) 4.4×10-6/℃
炭素基材(AP70)
かさ密度 1.88g/cm3
開気孔率 10%
ショア硬さ 60
固有抵抗 11ミクロオメガメートル
曲げ強さ 45MPa
ヤング率 13.5GPa
熱伝導率 107W/mK
熱膨張係数(0〜450℃) 4.8×10-6/K

特殊炭素材料

特長

  1. 一般的な特殊炭素材料と比較して極めて高密度
  2. 高い均熱特性
  3. 高い耐酸化性

酸化消耗量の加速試験例
酸化消耗量の加速試験結果のグラフ

特殊炭素材料の主な用途

  • シリコン単結晶引き上げ用ヒーター/カーボンルツボ/輻射シールド
  • 液相エピタキシャル用ボート
  • 化合物半導体溶融用ルツボ

特殊炭素材料の一般特性(代表例)

炭素基材(AP70)
かさ密度 1.88g/cm3
開気孔率 10%
ショア硬さ 60
固有抵抗 11ミクロオメガメートル
曲げ強さ 45MPa
ヤング率 13.5GPa
熱伝導率 107W/mK
熱膨張係数(0〜450℃) 4.8×10-6/K

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