高温に強く、ヒートショックに耐えるクリアーカーボン！
金属材料や他のセラミックス材料に見られない特性を活かしたクアーズテックの各種炭素・黒鉛製品は、半導体をはじめ様々な産業で利用されています。特に高純度黒鉛材料は、特殊な処理により灰分を3ppm以下に抑えており、シリコン単結晶引き上げ用ヒーター・ルツボ、液相エピタキシャル用ボートなど、半導体製造工程で幅広く使用されています。さらに、厳選された黒鉛基材の表面にSiCコーティングを施したクリアーカーボンはエピタキシャル用サセプターや各種治具で使用されており、その優れた特性は国内外で高く評価されています。
クリアーカーボン
一般的なCVD-SiC
クリアーカーボンは、炭素基材に深く入り込んだSiCのアンカーにより、SiC膜と炭素基材が極めて良好な密着性を有します。
| 名称 | ガス | 処理温度(℃) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1300 | 1350 | 1400 | 1450 | 1500 | 1550 | ||
| クリアーカーボン | H2 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ |
| H2＋HCI | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | △ | |
| 一般CVD-SiC膜 | H2 | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | △ |
| H2＋HCI | ◎ | ◎ | ◎ | × | × | × | |
Normal surface (non surface finish)
Surface finish 1
Surface finish 2
クリアーカーボンは高温下における半導体製造に幅広く使用されております。
(エピタキシャル成長、MO-CVDなど)
| SiC膜 | |
|---|---|
| 結晶構造 | β-SiC |
| かさ比重 | 3.2 |
| 3点曲げ強さ | 500Mpa |
| 熱伝導率 | 200W/mK |
| 放射率(650℃) | 76% |
| 熱膨張率(25〜1200℃) | 4.4×10-6/℃ |
| 炭素基材(AP70) | |
|---|---|
| かさ密度 | 1.88g/cm3 |
| 開気孔率 | 10% |
| ショア硬さ | 60 |
| 固有抵抗 | 11 |
| 曲げ強さ | 45MPa |
| ヤング率 | 13.5GPa |
| 熱伝導率 | 107W/mK |
| 熱膨張係数(0〜450℃) | 4.8×10-6/K |
酸化消耗量の加速試験例
| 炭素基材(AP70) | |
|---|---|
| かさ密度 | 1.88g/cm3 |
| 開気孔率 | 10% |
| ショア硬さ | 60 |
| 固有抵抗 | 11 |
| 曲げ強さ | 45MPa |
| ヤング率 | 13.5GPa |
| 熱伝導率 | 107W/mK |
| 熱膨張係数(0〜450℃) | 4.8×10-6/K |
